BSAC开发出SiC真空封装方法

美国加州大学伯克利传感器和执行器中心(BSAC)发布了在低温下实现微机电系统 (MEMS)真空封装的新方法（演讲序号：M-8）。该方法可用于SiC元件，此次还公布了在SiC中使用的结果。

　　此次的新方法种使用了如下工艺。首先在MEMS上形成一个牺牲层，并在其上形成条纹状Si层。对Si层缝隙到下层的牺牲层进行蚀刻，使之形成空洞。在此状态下，通过溅镀形成SiC。这一过程中，SiC原料不是从空洞的正上方而是倾斜、并与条纹成直角的方向射入。这样，SiC原料便不会进入空洞内，而是堆积在条纹上面及侧壁上。最终，条纹部分被SiC覆盖并封装起来。

　　BSAC目前正在SiC底板上形成CMOS和MEMS部分并作为无线传感器元件进行开发。这一工艺也可以看作是该元件的封装技术